半导体级晶体生长炉  KX170MCZ-大发888娱乐场手机版
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半导体级晶体生长炉 KX170MCZ

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  • 最优化的3-6英寸CZ单晶生长方案
  • 领先的全数字控制系统
  • 先进的热场设计

半导体级晶体生长炉  KX170MCZ
Performance  性能
  Typical Ingot Diameter 单晶直径   150-230 mm (6-10 in)
  Pull Chamber Height  副室高度   2108 mm (83 in)
  Throat Diameter 喉口直径   305 mm (12 in)
  Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩锅最大行程   500 mm (19.6 in )
  Crucible Lift Rate 坩锅提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩锅快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋转速率(可逆)   0-50 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)  坩锅旋转速率(可逆)   0-20 rpm
  CUPS 主真空泵   1000 Gs

Silicon Charge Capacity硅投料量
  *Hot Zones available to fit following crucible sizes 热场尺寸取决于坩锅直径
  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系统可提高装料量
  Crucible Diameter*
  坩埚直径
  Crucible Height*
  坩埚高度
  Charge Size Cold Pack
  冷装投料量
  Enhanced Charge**
  复投装料量
  24.0 in   16.33 in   170 kg   210 kg
  22.0 in   16.33 in   120 kg   150 kg

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