锗单晶生长炉KX100-Ge -大发888娱乐场手机版
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锗单晶生长炉KX100-Ge

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  • 最优化的4-8英寸CZ法锗单晶生长方案
  • 领先的全数字控制系统
  • 先进的热场设计
  • 国际上锗晶体生长公司的首选

锗单晶生长炉KX100-Ge
Performance  性能
  Typical Ingot Diameter 单晶直径   100-200 mm(4-8")
  Pull Chamber Height 副室高度   1750 mm (69”)
  Throat Diameter 喉口直径   305 mm (12”)
  Furnace Diameter 炉室内径   865 mm
  Seed Lift Rate 籽晶提升速率   0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩锅最大行程   380 mm (15")
  Crucible Lift Rate 坩锅提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩锅快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋转速率(可逆)   0-50 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)  坩锅旋转速率(可逆)   0-20 rpm

Silicon Charge Capacity硅投料量
  Hot zones are available to fit the following crucible sizes. 热场尺寸取决于坩锅直径
  Crucible Diameter
  坩锅直径
  Crucible Height
  坩锅高度
  Charge Size
  投料量
  20.0 in   15.0 in   120 kg
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